三星宣布：12nm級工藝DDR5DRAM內存芯片開始量產
三星電子官方宣布，采用12nm級工藝的DDR5 DRAM內存芯片已經開始量產。
新內存單顆容量16Gb(2GB)，最高速度7.2Gbps(等效頻率7200MHz)，相當于每秒可處理兩部30GB的超高清電影。
對比上一代產品，12nm DDR5的功耗降低了多達23%，同時晶圓生產率提高了20%，特別有助于服務器和數據中心節能減排。
三星透露，12nm級工藝的開發基于一種新型高K材料，可提高電池電容，使數據信號出現明顯的電位差，從而更易于準確地區分。
同時，三星還在降低工作電壓、噪聲方面取得了新的成果。
值得一提的是，三星還在去年12月完成了16Gb DDR5 DRAM與AMD處理器平臺的兼容性評估。
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